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西安交通大學(xué)寬禁帶半導體材料與器件研究中心面向海內外招聘啟事
2014年7月30日    中國博士招聘網(wǎng)
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西安交通大學(xué)寬禁帶半導體材料與器件研究中心面向海內外招聘啟事
 
西安交通大學(xué)寬禁帶半導體材料與器件研究中心是一個(gè)面向新一代寬禁帶半導體材料及器件的研究中心。該中心致力于研發(fā)在熱、聲、光、電及力學(xué)等方面具有潛在性能優(yōu)勢和產(chǎn)業(yè)化前景的新型寬禁帶半導體材料與器件,目前重點(diǎn)開(kāi)展利用微波等離子體化學(xué)氣相外延(MPCVD)、金屬有機化學(xué)氣相外延(MOCVD)等先進(jìn)半導體材料生長(cháng)工藝設備外延生長(cháng)寬禁帶半導體單晶薄膜、單晶襯底和量子結構,開(kāi)展相關(guān)基礎研究和應用研究;并研發(fā)相應的短波長(cháng)發(fā)光器件、高溫高頻大功率電子器件、高效大功率電力電子器件、高性能傳感器及成像器件;同時(shí)帶動(dòng)我校電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)科的發(fā)展。該中心現承擔科技部“863”重大項目、國家自然科學(xué)基金項目等。該實(shí)驗室將通過(guò)整合西安交通大學(xué)相關(guān)學(xué)科資源、強化科研平臺建設、引進(jìn)國際一流人才,逐步發(fā)展成為具有國際水平的、在國內外有重要影響的、特色鮮明的研究基地,最終建成世界一流的學(xué)術(shù)研究機構。
  
1.研究中心實(shí)驗室主任   
 
王宏興教授,國家“千人計劃”特聘專(zhuān)家。  
 
2.學(xué)術(shù)委員會(huì )主任  
 
侯洵教授,中國科學(xué)院院士。  
 
3.主要研究方向   
 
(1)大面積、高質(zhì)量寬禁帶半導體襯底的研究;  
 
(2)電子器件級高質(zhì)量寬禁帶半導體單晶薄膜及摻雜方法的研究;   
 
(3)高溫、高效、大功率微波器件及高效大功率電力電子器件的研究;  
 
(4)基于寬禁帶半導體的傳感器和成像探測器的研究;  
 
(5)新型化學(xué)氣相外延(CVD)等關(guān)鍵設備的研制。  
 
4.主要研究條件  
 
(1)工藝設備:日本Seki Technotron Corp. 公司的AX6500、AX5200和AX5250 CVD系統3套,AIXTRON MOCVD一套,高精密金剛石研磨機一臺,激光切割機一臺,現有RS-LMBE一套、MOCVD一套、JPSA激光剝離機一套,反應磁控濺射系統各一套,電阻和電子束蒸發(fā)鍍膜設備各一套,深紫外光刻機一臺,ICP離子刻蝕一臺,微控擴散爐一臺,快速退火爐(RTP)一臺、KNS球焊機、楔焊機各一臺。  
 
(2)測試設備:Philips高分辨率XRD(MRD)一臺,AFM一臺,高分辨率FEM-SEM一臺,四探針測試系統一臺,陰極發(fā)光CL一臺、吉時(shí)利4200-SCS型半導體特性分析、安捷倫1505A型高壓大功率半導體特性分析儀,高分辨表面平坦度測試儀一臺,拉曼譜測試儀一臺,變溫PL譜一臺、飛秒激光系統兩套、Lake Shore 7707A變溫霍耳測試系統等。  
 
(3)并建有“寬禁帶半導體材料與器件實(shí)驗室”,該實(shí)驗室從寬禁帶半導體材料的外延生長(cháng)、高低溫光電特性測試、薄膜結構測試、深紫外曝光(光刻)、刻蝕(濕,干)、金屬電極制作、雜質(zhì)擴散和熱處理等方面形成了一套完整的工藝、測試線(xiàn),有700m2的凈化間。  
 
一.人才招聘條件與待遇  
 
1.招聘全職教職人員5名  
 
(1)研究方向  
 
在以下幾個(gè)方向共招聘5名:  
 
大面積寬禁帶半導體襯底的研究;  
 
寬禁帶半導體外延生長(cháng)和摻雜方法的研究;  
 
大功率微波器件,大功率電力電子器件的研究;  
 
寬禁帶半導體的傳感器和成像探測器的研究;  
 
新型化學(xué)氣相外延(CVD)等關(guān)鍵設備的研制。  
 
(2)應聘條件  
 
應聘講師年齡在32歲以下,應聘副教授年齡在35歲以下;  
 
電子科學(xué)與技術(shù)、電氣工程、材料科學(xué)或相關(guān)專(zhuān)業(yè)博士畢業(yè);  
 
在與上列相關(guān)的一個(gè)方向有兩年以上的工作經(jīng)歷;  
 
以第一作者在國際一流期刊發(fā)表2篇以上高水平學(xué)術(shù)論文;  
 
有獨立承擔科研項目的能力;  
 
優(yōu)秀的中、英文表達能力,優(yōu)秀的閱讀和撰寫(xiě)英文學(xué)術(shù)論文;  
 
具有團隊合作精神和責任心。  
 
(3)待遇  
 
采用Tenure Track(預備終身教職)模式;  
 
講師年薪為12萬(wàn)元,副教授年薪為18萬(wàn)元;  
 
年終根據業(yè)績(jì)提供相應的年度獎勵;  
 
提供一定數額的安家費及科研啟動(dòng)費;  
 
在子女入托、中小學(xué)入學(xué)方面享受校內職工同等待遇;  
 
其他待遇按照學(xué)校有關(guān)規定執行。  
 
二.應聘方式  
 
所有應聘者應提供以下資料:  
 
(1)中英文電子版簡(jiǎn)歷、格式不限,應包含本人研究領(lǐng)域和應聘的研究方向、研究成果列表;  
 
(2)個(gè)人信息,以及家庭狀況的有關(guān)信息;  
 
(3)主要研究成果。3項主要成果的電子版,含成果水平的簡(jiǎn)要介紹(中英文);  
 
(4)兩份業(yè)內專(zhuān)家的推薦信(中/英文);  
 
(5)對研究方向的設想。  
 
三.聯(lián)系方法  
 
單 位:西安交通大學(xué)  
 
地 址:中國 陜西 西安 咸寧西路28號 西安交通大學(xué)電信學(xué)院  
 
郵 編:710049  
 
聯(lián)系人:張明輝  
  
電話(huà):029-82668155  
 
E-mail:zhangminghuicc@mail.xjtu.edu.cn  
 
截至日期:2015-7-31  
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